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Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x der integrierten Schaltung 4 Banken bewegliches SDRAM in 90FBGA

Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x der integrierten Schaltung 4 Banken bewegliches SDRAM in 90FBGA

    • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
    • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
  • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA

    Produktdetails:

    Herkunftsort: KOREA
    Markenname: SAMSUNG
    Zertifizierung: LEAD FREE/ROHS COMPLIANT
    Modellnummer: K4M513233C-DN75

    Zahlung und Versand AGB:

    Min Bestellmenge: 1
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    Ausführliche Produkt-Beschreibung
    Verpackung: 90FBGA Marke: SAMSUNG
    Stromversorgung.: • 3.0V u. 3.3V Handelstemperatur-Operation: (- 25°C | 70°C).

    Schnelles Detail:

    4M x 32Bit x 4 Banken bewegliches SDRAM in 90FBGA

    Beschreibung:

    Das K4M513233C ist Datenrate 536.870.912 der Bits die synchrone hohe dynamisches RAM, das als 4 x 4.196.304 Wörter durch 32 Bits organisiert wird, fabriziert mit SAMSUNGS-Hochleistung CMOS-Technologie. Synchroner Entwurf erlaubt genaue Zyklussteuerung mit dem Gebrauch der Systemuhr und Input-/Outputgeschäfte sind auf jedem Taktzyklus möglich. Strecke der Arbeitsfrequenzen, programmierbare Explosionslängen und programmierbare Latenz lässt das gleiche Gerät für eine Vielzahl von hohen Bandbreiten- und Hochleistungsgedächtnissystemanwendungen nützlich sein

     

    Anwendungen:

    •  Stromversorgung 3.0V u. 3.3V.

    •  LVCMOS kompatibel mit gemultiplexter Adresse.

    •  Operation mit vier Banken.

    •  FRAU Zyklus mit Tastenadresseprogrammen.

         -. CAS-Latenz (1, 2 u. 3).

         -. Explosionslänge (1, 2, 4, 8 u. Ganzseite).

         -. Explosionsart (aufeinander folgend u. Überlappen).

    •  EMRS-Zyklus mit Tastenadresseprogrammen.

    •  Aller Input wird am positiven gehenden Rand des Systems probiert

        Uhr.

    •  Explosion las Einzelbit schreiben Operation.

    •  Spezielle Funktions-Unterstützung.

         -. PASR (teilweiser Reihen-Selbst erneuern).

         -. Internes TCSR (temperaturkompensierter Selbst erneuern)   

    •   DQM für die Maskierung.

    •  Auto erneuern.

    •  64ms erneuern Zeitraum (Zyklus 8K).

    •  Handelstemperatur-Operation (- 25°C | 70°C).

    •  Ausgedehnte Temperatur-Operation (- 25°C | 85°C).

    •  90Balls FBGA

    Spezifikationen:

    Teilnummer.

    K4M513233C-DN75

    Hersteller

    SAMSUNG

    Versorgungsfähigkeit

    1920

    datecode

    07+

    Paket

    BGA

    Anmerkung

    neu und Stammaktie

     

    TEILNUMMER Menge MFG Paket
    MC74HC595ADTR2G 10000 AUF TSSIP
    MC74HC165ADTR2G 7800 AUF TSSOP
    LM4871MM 4000 NS MSOP
    ADXL335BCPZ 22000 ANZEIGE LFCSP-16
    PIC16F648A I/P 30000 MIKROCHIP BAD
    88SA8040B1-NNC1C000 20000 MARVELL QFN
    DF08M 45000 SEPT BAD
    FR9618SPCTR 10000 Franc SOP-8

    Wettbewerbsvorteil:

     

     Mega- Quellelektronik auf Lager die Komponenten, die bereit sind zu versenden. , stark zu finden, sind veraltete und in hohem Grade zugeteilte integrierte Schaltungen und Halbleiter alle können von uns gefunden werden.

    Mega- Quellelektronik hat ein gut entwickeltes Logistiksystem und globales ein Logistiknetz eingerichtet, die unserem schnellen, bequemen und leistungsfähigen Service garantieren können sehr.

     

     

    Kontaktdaten
    Mega Source Elec.Limited

    Ansprechpartner: Ms. Tara Chan

    Telefon: 86-755-83690382

    Faxen: 86-755-61624128

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