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Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x der integrierten Schaltung 4 Banken bewegliches SDRAM in 90FBGA

Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x der integrierten Schaltung 4 Banken bewegliches SDRAM in 90FBGA

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Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x der integrierten Schaltung 4 Banken bewegliches SDRAM in 90FBGA
Produktdetails:
Herkunftsort: KOREA
Markenname: SAMSUNG
Zertifizierung: LEAD FREE/ROHS COMPLIANT
Modellnummer: K4M513233C-DN75
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: Kontakt für Probe
Lieferzeit: Stock
Zahlungsbedingungen: T/T im Voraus, Paypal, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 9600
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Verpackung: 90FBGA Marke: SAMSUNG
Stromversorgung.: • 3.0V u. 3.3V Handelstemperatur-Operation: (- 25°C | 70°C).
Markieren:

IC-integrierte Schaltungen

,

Chips der integrierten Schaltung

Schnelles Detail:

4M x 32Bit x 4 Banken bewegliches SDRAM in 90FBGA

Beschreibung:

Das K4M513233C ist Datenrate 536.870.912 der Bits die synchrone hohe dynamisches RAM, das als 4 x 4.196.304 Wörter durch 32 Bits organisiert wird, fabriziert mit SAMSUNGS-Hochleistung CMOS-Technologie. Synchroner Entwurf erlaubt genaue Zyklussteuerung mit dem Gebrauch der Systemuhr und Input-/Outputgeschäfte sind auf jedem Taktzyklus möglich. Strecke der Arbeitsfrequenzen, programmierbare Explosionslängen und programmierbare Latenz lässt das gleiche Gerät für eine Vielzahl von hohen Bandbreiten- und Hochleistungsgedächtnissystemanwendungen nützlich sein

 

Anwendungen:

•  Stromversorgung 3.0V u. 3.3V.

•  LVCMOS kompatibel mit gemultiplexter Adresse.

•  Operation mit vier Banken.

•  FRAU Zyklus mit Tastenadresseprogrammen.

     -. CAS-Latenz (1, 2 u. 3).

     -. Explosionslänge (1, 2, 4, 8 u. Ganzseite).

     -. Explosionsart (aufeinander folgend u. Überlappen).

•  EMRS-Zyklus mit Tastenadresseprogrammen.

•  Aller Input wird am positiven gehenden Rand des Systems probiert

    Uhr.

•  Explosion las Einzelbit schreiben Operation.

•  Spezielle Funktions-Unterstützung.

     -. PASR (teilweiser Reihen-Selbst erneuern).

     -. Internes TCSR (temperaturkompensierter Selbst erneuern)   

•   DQM für die Maskierung.

•  Auto erneuern.

•  64ms erneuern Zeitraum (Zyklus 8K).

•  Handelstemperatur-Operation (- 25°C | 70°C).

•  Ausgedehnte Temperatur-Operation (- 25°C | 85°C).

•  90Balls FBGA

Spezifikationen:

Teilnummer.

K4M513233C-DN75

Hersteller

SAMSUNG

Versorgungsfähigkeit

1920

datecode

07+

Paket

BGA

Anmerkung

neu und Stammaktie

 

TEILNUMMER Menge MFG Paket
MC74HC595ADTR2G 10000 AUF TSSIP
MC74HC165ADTR2G 7800 AUF TSSOP
LM4871MM 4000 NS MSOP
ADXL335BCPZ 22000 ANZEIGE LFCSP-16
PIC16F648A I/P 30000 MIKROCHIP BAD
88SA8040B1-NNC1C000 20000 MARVELL QFN
DF08M 45000 SEPT BAD
FR9618SPCTR 10000 Franc SOP-8

Wettbewerbsvorteil:

 

 Mega- Quellelektronik auf Lager die Komponenten, die bereit sind zu versenden. , stark zu finden, sind veraltete und in hohem Grade zugeteilte integrierte Schaltungen und Halbleiter alle können von uns gefunden werden.

Mega- Quellelektronik hat ein gut entwickeltes Logistiksystem und globales ein Logistiknetz eingerichtet, die unserem schnellen, bequemen und leistungsfähigen Service garantieren können sehr.

 

 

Kontaktdaten
Mega Source Elec.Limited

Ansprechpartner: savvy

Telefon: +8613302928193

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