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MRF19030LR3-, Motorola, Inc. - die Rf MOSFET-Linie Rf-Energie-Feld-Effekt-Transistoren N-Kanal Anreicherungstyp seitlicher MOS

MRF19030LR3-, Motorola, Inc. - die Rf MOSFET-Linie Rf-Energie-Feld-Effekt-Transistoren N-Kanal Anreicherungstyp seitlicher MOS

MRF19030LR3- Motorola, Inc - The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOS

Produktdetails:

Herkunftsort: Freescale-Halbleiter
Markenname: MOT
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: MRF19030LR3

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 50
Preis: Contact for Sample
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Ausführliche Produkt-Beschreibung

MRF19030LR3-, Motorola, Inc. - die Rf MOSFET-Linie Rf-Energie-Feld-Effekt-Transistoren N-Kanal Anreicherungstyp-Seitenteil MOSFETs


Schnelles Detail:

MRF19030LR3-, Motorola, Inc. - die Rf MOSFET-Linie Rf-Energie-Feld-Effekt-Transistoren N-Kanal Anreicherungstyp-Seitenteil MOSFETs

Beschreibung:

Entworfen für Klasse AB PCN- und PCS-Basisstation Anwendungen mit
Frequenzen von 1,8 bis 2,0 Gigahertz. Passend für FM, TDMA, CDMA und
multicarrier Verstärkeranwendungen.


Anwendungen:

• CDMA-Leistung @ 1990 MHZ, 26 Volt
IS-97 CDMA Pilot, Synchronisierung, Paginierung, Verkehr kodiert 8 bis 13
885 kHz — dBc -47 @ 30 kHz BW
1,25 MHZ — dBc -55 @ 12,5 kHz BW
2,25 MHZ — dBc -55 @ 1 MHZ BW
Spitzenleistung — 4,5 Watt Avg.
Energie-Gewinn — DB 13,5
Leistungsfähigkeit — 17%
• Innerlich zusammengebrachtes, kontrolliertes Q, für Benutzerfreundlichkeit
• Hoher Gewinn, hohe Leistungsfähigkeit und hohe Linearitäten
• Integrierter ESD-Schutz
• Entworfen für maximale Gewinn-und Einfügungs-Phasen-Flachheit
• Fähig zur Behandlung des 10:1 VSWR, @ 26 VDC, 1,93 Gigahertz, 30 Watt CW
Spitzenleistung
• Ausgezeichnete Wärmebeständigkeit
• Gekennzeichnet mit Reihe gleichwertigen Groß-Signal Widerstand-Parametern
• Niedrige Vergolden-Stärke auf Führungen, ″ 40µ Nominal.
• Im Band und in der Spule. Suffix R3 = 250 Einheiten pro 32 Millimeter, 13 Zoll-Spule


Spezifikationen:

Datenblätter

Reihe MRF19030

Standardpaket

250

Kategorie

Getrennte Halbleiter-Produkte

Familie

Rf-FETs

Reihe

-

Verpacken

Band u. Spule (TR)

Transistor-Art

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

13dB

Spannung - Test

26V

Gegenwärtige Bewertung

1µA

Rauschmaß

-

Gegenwärtig - Test

300mA

Leistungsabgabe

30W

Spannung - bewertet

65V

Paket/Fall

NI-400

Lieferanten-Gerät-Paket

NI-400



Wettbewerbsvorteil:

Garantie: 180days für alle Waren
Kostenloser Versand: Auftrag über Gewinn $600 eine freie Versandgebühr: Waren belasten unter 3Kg.
Mega- Quellelektronik auf Lager die Komponenten, die bereit sind zu versenden. , stark zu finden, sind veraltete und in hohem Grade zugeteilte integrierte Schaltungen und Halbleiter alle können von uns gefunden werden.
Mega- Quellelektronik hat ein gut entwickeltes Logistiksystem und globales ein Logistiknetz eingerichtet, die unserem schnellen, bequemen und leistungsfähigen Service garantieren können sehr.

Umbau:
MRF19030LSR3

Kontaktdaten
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Ansprechpartner: savvy

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