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IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMISCHES RAM MIT EDO-SEITENMODUS

IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMISCHES RAM MIT EDO-SEITENMODUS

    • IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
    • IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
  • IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

    Produktdetails:

    Herkunftsort: PHILIPPINISCH
    Markenname: Integrated Silicon Solution, Inc
    Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
    Modellnummer: IS41LV16100B-60KL

    Zahlung und Versand AGB:

    Min Bestellmenge: 50
    Preis: Contact for Sample
    Verpackung Informationen: Kontakt für Probe
    Lieferzeit: innerhalb 3 Tage
    Zahlungsbedingungen: T/T im Voraus, Paypal, Western Union
    Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000
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    Ausführliche Produkt-Beschreibung
    Verpackung: Tube Speichergröße: 16M (1M x 16)
    Auto erneuern Modus:: 1.024-Zyklus-/16-Frau Industrielle Temperaturspanne:: -40oC zu +85oC

     

    IS41LV16100B-60KL - Integrated Silicon Solution, Inc - 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMISCHES RAM MIT EDO-SEITENMODUS

     

     

    Schnelles Detail:

     

    1M x 16 (16-MBIT) DYNAMISCHES RAM MIT EDO-SEITENMODUS

     

     

    Beschreibung:

     

    Das ISSI IS41LV16100B ist 1.048.576 leistungsstarke CMOS dynamische 16-Bit-Direktzugriffsspeicher x. Diese Geräte bieten einen beschleunigten Zyklus Zugang genannten EDO-Seitenmodus an. EDO-Seitenmodus erlaubt 1.024 gelegentliche Zugänge innerhalb einer einzelnen Reihe mit der Zugangszykluszeit, die ns pro 16-Bit-Wort so kurz ist wie 20.

    Diese Eigenschaften machen das IS41LV16100B, das ideal für hohe Bandbreitengraphiken, digitale Signalverarbeitung, leistungsstarke Computing-Systeme und Zusatzanwendungen entsprochen wird.

    Das IS41LV16100B wird in einem 42 Stift 400 Mil SOJ und 400 Mil 50 - (44-) der Stift TSOP verpackt (Art II).

     

     

    Anwendungen:

     

    • Kompatibler Input und Ertrag TTLs; Tristate-Input/Output

    • Erneuern Sie Abstand:

    — Auto erneuern Modus: 1.024-Zyklus-/16-Frau

    — Nur für RAS, CAS-vor-RAS (CBR) und versteckt

    • JEDEC-Standard pinout

    • Einzelne Stromversorgung: 3.3V ± 10%

    • Byte schreiben und des Bytes Lesevorgang über zwei CAS

    • Industrielle Temperaturspanne: -40oC zu +85oC

    • Bleifreies verfügbares

     

     

    Spezifikationen:

     

    Datenblätter

    IS41LV16100B

    Standardpaket

    16

    Kategorie

    Integrierte Schaltungen (ICs)

    Familie

    Gedächtnis

    Reihe

    -

    Verpacken

    Rohr

    Format - Gedächtnis

    RAM

    Gedächtnis-Art

    D-RAM - EDO

    Speicherkapazität

    16M (1M x 16)

    Geschwindigkeit

    60ns

    Schnittstelle

    Ähnlichkeit

    Spannung - Versorgung

    3 V | 3,6 V

    Betriebstemperatur

    0°C | 70°C

    Paket/Fall

    42-SOJ

    Lieferanten-Gerät-Paket

    42-SOJ

     

     

    Wettbewerbsvorteil:

     

    Garantie: 180 Tage!
    Kostenloser Versand: Auftrag über Gewinn $1000 eine freie Versandgebühr
    (Warengewicht unter 3Kg), während 20130901-20130930.


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