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Mega Source Elec.Limited

K6R4008C1D-KI10 Samsung 256Kx16 Stückchen statisches RAM-Flash-Speicher IC-Hochgeschwindigkeitschip

    • K6R4008C1D-KI10 Samsung- 256Kx16 Bit High Speed Static RAM  Flash Memory IC Chip
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  • K6R4008C1D-KI10 Samsung- 256Kx16 Bit High Speed Static RAM  Flash Memory IC Chip

    Produktdetails:

    Herkunftsort: PHILIPPINISCH
    Markenname: Samsung semiconductor
    Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
    Modellnummer: K6R4008C1D-KI10

    Zahlung und Versand AGB:

    Min Bestellmenge: 50
    Preis: Contact for Sample
    Verpackung Informationen: Kontakt für Probe
    Lieferzeit: innerhalb 3 Tage
    Zahlungsbedingungen: T/T im Voraus, Paypal, Western Union
    Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000
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    Ausführliche Produkt-Beschreibung
    Funktionierendes K6R4016C1D-10:: 65mA (Maximum) Daten-Byte-Steuerung:: Lbs: I/O1~ I/O8, UB: I/O9~ I/O16
    Verpackung: BGA Bereitschaft (TTL):: 20mA (Maximum)

     

    K6R4008C1D-KI10 - Samsungs-Halbleiter - 256Kx16 Stückchen statisches HochgeschwindigkeitsRAM (Betrieb 5.0V). Funktioniert an der Werbung und

     

    Schnelles Detail:

     

    256Kx16 Stückchen statisches HochgeschwindigkeitsRAM (Betrieb 5.0V). Funktioniert bei der Handels- und industriellen Temperatur

    Strecken.

     

     

    Beschreibung:

     

    Das K6R4016C1D ist ein 4.194.304 Bit statischer Hochgeschwindigkeitsdirektzugriffsspeicher, der als 262.144 Wörter durch 16 Bits organisiert wird. Das K6R4016C1D benutzt 16 allgemeinen Input und Ertragskurven und lässt einen Ertrag Stift ermöglichen, der schneller als Adressenzugriffszeit am Lesezyklus funktioniert. Auch es gewährt, das und oberer Bytezugang durch Datenbytesteuerung (UB, lbs) senken. Das Gerät wird unter Verwendung SAMSUNG¢s voranbrachte CMOS-Prozess und entwarf für Hochgeschwindigkeitsschaltkreistechnik fabriziert. Es ist für Gebrauch Hochgeschwindigkeitssystemanwendungen in den mit hoher Dichte besonders gut angepasst.

    Das K6R4016C1D wird in einem Plastik-SOJ des Stift 400mil 44 oder in einem TSOP verpackt (II) vorwärts oder 48 T BGA.

     

     

    Anwendungen:

     

    • Schnellzugriffszeit 10ns (Maximum)

    • Ableitung der geringen Energie

     Bereitschaft (TTL): 20mA (Maximum)

     (CMOS): 5mA (Maximum)

     Funktionierendes K6R4016C1D-10: 65mA (Maximum)

    • Sondern Sie 5.0V±10% Stromversorgung aus

    • Kompatibler Input und Ertrag TTLs

    • Völlig statische Operation

     - Keine Uhr oder Refresh erforderten

    • Drei Zustands-Ertrag

    • Mittelenergie/Massepunkt-Stiftkonfiguration

    • Daten-Byte-Steuerung: Lbs: I/O1~ I/O8, UB: I/O9~ I/O16

    • Standardstiftbelegung

     K6R4016C1D-J: 44-SOJ-400

     K6R4016C1D-K: 44-SOJ-400 (bleifrei)

     K6R4016C1D-T: 44-TSOP2-400BF

     K6R4016C1D-U: 44-TSOP2-400BF (bleifrei)

     K6R4016C1D-E: 48-TBGA mit 0,75 Ballneigung

     (7mm x 9mm)

    • Funktionieren in der Handels- und industriellen Temperaturspanne

     

     

    Spezifikationen:

     

    Teilnummer.

    K6R4008C1D-KI10

    Hersteller

    Samsungs-Halbleiter

    Versorgungsfähigkeit

    10000

    datecode

    10+

    Paket

    BGA

    Anmerkung

    neu und Stammaktie

     

     

    Wettbewerbsvorteil:

     

    Garantie: 180 Tage!
    Kostenloser Versand: Auftrag über Gewinn $1000 eine freie Versandgebühr
    (Warengewicht unter 3Kg), während 20130901-20130930.


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    •    Mega- Quelle ist ein Wächter und eine Handelsfirma auf Lager von elektronischen Bauelementen. Unsere Zweigniederlassung schließen China, Hong Kong, Sigapore, Kanada mit ein. Bieten Sie Geschäft, Service, Beschaffung und Informationen für unser globales Mitglied an.
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    Kontaktdaten
    Mega Source Elec.Limited

    Ansprechpartner: savvy

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