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Transistoren IXSN35N120U1 - TOSHIBA NPN PNP - Hochspannung IGBT mit Diode

Transistoren IXSN35N120U1 - TOSHIBA NPN PNP - Hochspannung IGBT mit Diode

NPN PNP Transistors IXSN35N120U1 - TOSHIBA - High Voltage IGBT with Diode

Produktdetails:

Herkunftsort: PHILIPPINISCH
Markenname: TOSHIBA
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IXSN35N120U1

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 50
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: Kontakt für Probe
Lieferzeit: innerhalb 3 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T im Voraus, Paypal, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung

 

Schnelles Detail:

 

Hochspannung IGBT mit Diode

 

 

Beschreibung:

 

VCES = 1200 V

IC25 = 70 A

VCE (gesessen) = 4 V

 

 

Anwendungen:

 

● internationaler Standardpaket Mini-BLOCK (ISOTOP) kompatibel

● Aluminium-Nitrid Isolierung

- Ableitung der hohen Leistung

● Isolierungsspannung 3000 V~

● niedriges VCE (gesessen)

- für minimale Ein-Zustands-Leitungsverluste

● schnelle RecoveryEpitaxial-Diode

- kurzes trr und IRM

● niedrige Kollektor-zufall Kapazitanz (< 50="" pF="">

- reducesd HF-Störung

● niedrige Paketinduktanz (< 10="" nH="">

- einfach zu fahren und sich zu schützen

 

 

Spezifikationen:

 

Teilnummer.

IXSN35N120U1

Hersteller

TOSHIBA

Versorgungsfähigkeit

10000

datecode

10+

Paket

MODUL

Anmerkung

neu und Stammaktie

 

 

Wettbewerbsvorteil:

 

Garantie: 180 Tage!
Kostenloser Versand: Auftrag über Gewinn $1000 eine freie Versandgebühr
(Warengewicht unter 3Kg), während 20130901-20130930.


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Ansprechpartner: savvy

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